IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 210µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 22 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 474 pF @ 100 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 86W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 700 V	供应商器件封装 PG-TO251-3-11
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.5A（Tc）	封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPAK
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPS70R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600毫欧 @ 1A，10V

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