类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 340µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 32 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 870 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 83.3W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.7A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPP65R420
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 420 毫欧 @ 3.4A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP65R420CFDXKSA2	Infineon Technologies	483	448-IPP65R420CFDXKSA2-ND	¥22.16000	MFR Recommended
FCPF380N60	onsemi	72	FCPF380N60FS-ND	¥30.68000	类似
IXFP14N60P	IXYS	0	IXFP14N60P-ND	¥26.60377	类似
IXFP16N60P3	IXYS	30	IXFP16N60P3-ND	¥63.27000	类似
SIHP12N65E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP12N65E-GE3-ND	¥27.37000	类似

IPP65R420CFDXKSA1

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