类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 320µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 32 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 700 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 83W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.6A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPP60R380
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 380 毫欧 @ 3.8A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP60R360P7XKSA1	Infineon Technologies	1,296	448-IPP60R360P7XKSA1-ND	¥21.58000	MFR Recommended
FCP11N60	onsemi	1,602	FCP11N60-ND	¥34.57000	类似
IXFP22N60P3	IXYS	219	IXFP22N60P3-ND	¥62.60000	类似
SIHP12N65E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP12N65E-GE3-ND	¥27.37000	类似
STP12N65M5	STMicroelectronics	0	497-10304-5-ND	¥11.65962	类似

IPP60R380E6XKSA1

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