类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 430µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 43 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 950 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 104W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.8A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPP60R280
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 280 毫欧 @ 6.5A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP60R280P7XKSA1	Infineon Technologies	43	IPP60R280P7XKSA1-ND	¥25.14000	MFR Recommended
FCP260N60E	onsemi	190	FCP260N60EOS-ND	¥33.58000	类似
STP18N60M2	STMicroelectronics	266	497-13971-5-ND	¥25.14000	类似
STP18NM60N	STMicroelectronics	1,582	497-10305-5-ND	¥30.02000	类似
STP20NM60FD	STMicroelectronics	397	497-5395-5-ND	¥72.03000	类似

IPP60R280C6XKSA1