Name: IPP60R199CPXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R199CPXKSA1-ND
Price: 36.97 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 660µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 43 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1520 pF @ 100 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 139W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPP60R199
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 199 毫欧 @ 9.9A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FCP190N60E	onsemi	1,432	FCP190N60EOS-ND	¥42.01000	类似
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IRFBC30APBF	Vishay Siliconix	732	IRFBC30APBF-ND	¥33.08000	类似
STP18N60M2	STMicroelectronics	266	497-13971-5-ND	¥25.14000	类似

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IPP60R199CPXKSA1