Name: IPP60R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R190E6XKSA1-ND
Price: 36.8 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 630µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1400 pF @ 100 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 151W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20.2A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPP60R190
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V

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替代品 (13)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP65R190E6XKSA1	Rochester Electronics, LLC	56,890	2156-IPP65R190E6XKSA1-ND	¥2.14000	直接
FCP190N65F	onsemi	569	FCP190N65F-ND	¥5.58000	类似
FCP190N65S3	onsemi	635	FCP190N65S3-ND	¥4.65000	类似
SIHP21N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHP21N65EF-GE3-ND	¥5.91000	类似
SIHP22N60E-E3	Vishay Siliconix	861	742-SIHP22N60E-E3-ND	¥5.31000	类似

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