IPP100N06S3-04 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 314 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 14230 pF @ 25 V
包装管件	功率耗散（最大值） 214W（Tc）
零件状态停产	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 55 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO220-3-1
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.4毫欧 @ 80A，10V	基本产品编号 IPP100N
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150µA

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IXTP90N055T2	IXYS	0	IXTP90N055T2-ND	¥33.99000	类似

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IPP100N06S3-04