IPP091N06N G Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.1 毫欧 @ 80A，10V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 130µA
系列 OptiMOS™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 81 nC @ 10 V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2800 pF @ 30 V
零件状态 DigiKey 停止提供	安装类型通孔
FET 类型 N 通道	供应商器件封装 PG-TO220-3
技术 MOSFET（金属氧化物）	封装/外壳 TO-220-3
漏源电压（Vdss） 60 V	基本产品编号 IPP091N
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）

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