IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

IPP042N03LGXKSA1 已经过时且不再制造。

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 38 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3900 pF @ 15 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 79W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 30 V	供应商器件封装 PG-TO220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 IPP042
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 30A，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPP044N03LF2SAKSA1	Infineon Technologies	425	448-IPP044N03LF2SAKSA1-ND	¥12.16000	MFR Recommended
FDP8030L	onsemi	1,009	FDP8030LFS-ND	¥67.65000	类似
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