IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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Infineon Technologies

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onsemi

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 120µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 290 pF @ 100 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 42W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 800 V	供应商器件封装 PG-TO252-3-11
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPD80R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.8 欧姆 @ 1.1A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPD80R2K8CEATMA1	Infineon Technologies	275	IPD80R2K8CEATMA1CT-ND	¥57.00000	直接
FCD3400N80Z	onsemi	2,343	FCD3400N80ZCT-ND	¥102.00000	类似

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IPD80R2K8CEBTMA1