Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 20.01 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IPD65R660CFDAATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD65R660CFDAATMA1
描述	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
原厂标准交货期	29 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPD65R660CFDAATMA1 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 CoolMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 543 pF @ 100 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）
零件状态在售	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO252-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 660 毫欧 @ 3.22A，10V	基本产品编号 IPD65R660
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 214.55µA