Name: IPD35N12S3L24ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND
Price: 23.57 CNY
Availability: InStock

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IPD35N12S3L24ATMA1
DigiKey 零件编号	IPD35N12S3L24ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPD35N12S3L24ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD35N12S3L24ATMA1
描述	MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 120 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2700 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 71W（Tc）
零件状态不适用于新设计	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 120 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO252-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 35A，10V	基本产品编号 IPD35N12
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 39µA