Name: IPD350N06LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD350N06LGBTMA1TR-ND
Price: 11.58 CNY
Availability: InStock

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IPD350N06LGBTMA1
DigiKey 零件编号	IPD350N06LGBTMA1TR-ND - 卷带（TR） IPD350N06LGBTMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPD350N06LGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD350N06LGBTMA1
描述	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPD350N06LGBTMA1 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 28µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 5 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 800 pF @ 30 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 68W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 PG-TO252-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 29A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 IPD350
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 35 毫欧 @ 29A，10V

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替代品 (10)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRLR2705TRPBF	Infineon Technologies	21,088	IRLR2705PBFCT-ND	¥11.41000	类似
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DMN6040SK3-13	Diodes Incorporated	0	DMN6040SK3-13DICT-ND	¥8.27000	类似
NTD20N06T4G	onsemi	2,590	NTD20N06T4GOSCT-ND	¥18.77000	类似

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