Name: IPC100N04S51R2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND
Price: 26.63 CNY
Availability: InStock

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IPC100N04S51R2ATMA1
DigiKey 零件编号	IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPC100N04S51R2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPC100N04S51R2ATMA1
描述	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPC100N04S51R2ATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 131 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7650 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 150W（Tc）
零件状态不适用于新设计	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 40 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）	供应商器件封装 PG-TDSON-8-34
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 毫欧 @ 50A，10V	基本产品编号 IPC100
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.4V @ 90µA