Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 28.45 CNY
Availability: InStock

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IPB80N06S209ATMA2
DigiKey 零件编号	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - 卷带（TR） IPB80N06S209ATMA2CT-ND - 剪切带（CT） IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB80N06S209ATMA2
描述	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB80N06S209ATMA2 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 80 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2360 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 190W（Tc）
零件状态在售	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 55 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO263-3-2
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.8 毫欧 @ 50A，10V	基本产品编号 IPB80N
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 125µA