Name: IPB70N10S3L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
Price: 35.64 CNY
Availability: InStock

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IPB70N10S3L12ATMA1
DigiKey 零件编号	448-IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPB70N10S3L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB70N10S3L12ATMA1
描述	MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 80 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 OptiMOS™	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5550 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 125W（Tc）
零件状态不适用于新设计	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO263-3-2
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 11.8 毫欧 @ 70A，10V	基本产品编号 IPB70N10
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 83µA

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替代品 (5)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1,600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	¥10.57536	类似
PSMN013-100BS,118	Nexperia USA Inc.	174	1727-7104-1-ND	¥22.41000	类似
PSMN9R5-100BS,118	Nexperia USA Inc.	5,279	1727-7218-1-ND	¥27.21000	类似
RBA250N10CHPF-4UA02#GB0	Renesas Electronics Corporation	800	559-RBA250N10CHPF-4UA02#GB0CT-ND	¥28.64283	类似
STB80NF10T4	STMicroelectronics	807	497-2489-1-ND	¥31.76000	类似