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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
IPB65R660CFDAATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IPB65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPB65R660CFDAATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK |
原厂标准交货期 | 17 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPB65R660CFDAATMA1 型号 |
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 543 pF @ 100 V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 功率耗散（最大值） 62.5W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ） |
FET 类型 | 等级 汽车级 |
技术 | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 PG-TO263-3 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 660 毫欧 @ 3.2A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 200µA |
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剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.64000 | ¥25.64 |
| 10 | ¥16.49000 | ¥164.90 |
| 100 | ¥11.27200 | ¥1,127.20 |
| 500 | ¥9.03894 | ¥4,519.47 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1,000 | ¥8.32119 | ¥8,321.19 |
| 2,000 | ¥7.71765 | ¥15,435.30 |
| 3,000 | ¥7.41028 | ¥22,230.84 |
| 5,000 | ¥7.06499 | ¥35,324.95 |
| 7,000 | ¥6.86056 | ¥48,023.92 |
| 10,000 | ¥6.66192 | ¥66,619.20 |
