Name: IPB60R099C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C6ATMA1TR-ND
Price: 56.57 CNY
Availability: InStock

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IPB60R099C6ATMA1
DigiKey 零件编号	IPB60R099C6ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB60R099C6ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPB60R099C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB60R099C6ATMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB60R099C6ATMA1 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.21mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 119 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ C6	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2660 pF @ 100 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 278W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 37.9A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPB60R099
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 99 毫欧 @ 18.1A，10V

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替代品 (12)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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