Name: IPB50R199CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50R199CPATMA1TR-ND
Price: 12.15375 CNY
Availability: OutOfStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 660µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 45 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1800 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 139W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 550 V	供应商器件封装 PG-TO263-3-2
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPB50R199
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 199 毫欧 @ 9.9A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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STB23NM50N	STMicroelectronics	371	497-10874-1-ND	¥49.87000	类似
STB24N60M2	STMicroelectronics	487	497-13575-1-ND	¥31.26000	类似

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IPB50R199CPATMA1