Name: IPB110N20N3LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB110N20N3LFATMA1TR-ND
Price: 69.99 CNY
Availability: InStock

IPB110N20N3LFATMA1
DigiKey 零件编号	IPB110N20N3LFATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB110N20N3LFATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPB110N20N3LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB110N20N3LFATMA1
描述	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 200 V 88A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB110N20N3LFATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 3
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	不适用于新设计
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	11 毫欧 @ 88A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.2V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	650 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	250W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	IPB110

IPB110N20N3LFATMA1