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IPB049NE7N3GATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - 卷带(TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - 剪切带(CT) |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPB049NE7N3GATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 75 V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPB049NE7N3GATMA1 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 91µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68 nC @ 10 V |
系列 | Vgs(最大值) ±20V |
包装 卷带(TR) 剪切带(CT) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4750 pF @ 37.5 V |
零件状态 停产 | 功率耗散(最大值) 150W(Tc) |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压(Vdss) 75 V | 供应商器件封装 PG-TO263-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.9 毫欧 @ 80A,10V |
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替代品 (10)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
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| FDB060AN08A0 | onsemi | 2,372 | FDB060AN08A0CT-ND | ¥41.93000 | 类似 |
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剪切带(CT)
| 数量 | 单价 (含 13% 增值税) | 总价 (含 13% 增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.46000 | ¥37.46 |
| 10 | ¥24.51200 | ¥245.12 |
| 100 | ¥17.13050 | ¥1,713.05 |
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