Name: IPB031N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB031N08N5ATMA1TR-ND
Price: 39.61 CNY
Availability: InStock

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IPB031N08N5ATMA1
DigiKey 零件编号	IPB031N08N5ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPB031N08N5ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPB031N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPB031N08N5ATMA1
描述	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
原厂标准交货期	35 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IPB031N08N5ATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 108µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 87 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6240 pF @ 40 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 167W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 80 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 IPB031
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.1 毫欧 @ 100A，10V