通孔 N 通道 650 V 10.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220-FP
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IPAN65R650CEXKSA1

DigiKey 零件编号
IPAN65R650CEXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPAN65R650CEXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 10.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220-FP
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPAN65R650CEXKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 210µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
440 pF @ 100 V
零件状态
最后售卖
功率耗散(最大值)
28W(Tc)
FET 类型
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO220-FP
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
650 毫欧 @ 2.1A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (5)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
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现货: 14
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最后售卖日期:2026/9/30
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥16.29000¥16.29
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