IPA65R190CFDXKSA1 没有现货,且当前不提供缺货下单。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 0
单价: ¥43.58000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥13.62052
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥28.42373
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 838
单价: ¥30.19000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 81
单价: ¥34.16000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 51
单价: ¥44.58000
规格书
通孔 N 通道 650 V 17.5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-111
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPA65R190CFDXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IPA65R190CFDXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPA65R190CFDXKSA1
描述
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 17.5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-111
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 730µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1850 pF @ 100 V
零件状态
DigiKey 停止提供
功率耗散(最大值)
34W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
650 V
供应商器件封装
PG-TO220-3-111
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 7.3A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (6)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
FCPF190N60Eonsemi0FCPF190N60EOS-ND¥43.58000类似
SIHA22N60AE-E3Vishay Siliconix0SIHA22N60AE-E3-ND¥13.62052类似
STF23NM60NDSTMicroelectronics0STF23NM60ND-ND¥28.42373类似
STF26N60M2STMicroelectronics838497-16514-5-ND¥30.19000类似
STF28N60M2STMicroelectronics81497-14216-5-ND¥34.16000类似
现货: 0
由于临时供应限制,我们无法接受进行缺货订购,且目前产品的交货期不确定。 查看 替代品。