类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 200µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20.5 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 440 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 28W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-TO220-FP
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.3A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3 整包
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPA60R600
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPA60R600P7XKSA1	Infineon Technologies	0	IPA60R600P7XKSA1-ND	¥19.02000	MFR Recommended
STF10N60M2	STMicroelectronics	1,271	497-13945-5-ND	¥16.13000	类似
STF10NM60N	STMicroelectronics	313	497-12564-5-ND	¥36.80000	类似
STF11NM60ND	STMicroelectronics	950	497-11884-5-ND	¥46.97000	类似
STF12NK60Z	STMicroelectronics	1,349	497-4808-5-ND	¥37.88000	类似

IPA60R600E6XKSA1

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