类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 440µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 31 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1190 pF @ 100 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 104W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 550 V	供应商器件封装 PG-TO220-3-31
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）	封装/外壳 TO-220-3 整包
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPA50R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 299 毫欧 @ 6.6A，10V

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
SIHA14N60E-E3	Vishay Siliconix	0	SIHA14N60E-E3-ND	¥27.46000	直接
STF12N50DM2	STMicroelectronics	363	497-16346-5-ND	¥23.82000	类似
STF14NM50N	STMicroelectronics	898	497-12569-5-ND	¥42.34000	类似
STF19NM50N	STMicroelectronics	970	497-12572-5-ND	¥48.13000	类似
TK13A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	95	TK13A50D(STA4QM)-ND	¥32.83000	类似

IPA50R299CPXKSA1

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