Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 58.72 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IGLD65R080D2AUMA1
DigiKey 零件编号	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IGLD65R080D2AUMA1
描述	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
原厂标准交货期	27 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 18A（Tc） 68W（Tc） PG-LSON-8-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IGLD65R080D2AUMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.6V @ 1.8mA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 3.3 nC @ 3 V
系列 CoolGaN™ G5	Vgs（最大值） -10V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 240 pF @ 400 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 68W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 GaNFET（氮化镓）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-LSON-8-2
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Tc）	封装/外壳 8-LDFN 裸焊盘
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 5.5A