Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 32.58 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IGB070S10S1XTMA1
DigiKey 零件编号	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IGB070S10S1XTMA1
描述	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
原厂标准交货期	27 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 13A（Ta），38A（Tc） 2.6W（Ta），23W（Tc） PG-TSON-4-2
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IGB070S10S1XTMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7 毫欧 @ 13A，5V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.9V @ 4.5mA
系列 CoolGaN™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.9 nC @ 5 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±6.5V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 740 pF @ 50 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.6W（Ta），23W（Tc）
技术 GaNFET（氮化镓）	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A（Ta），38A（Tc）	供应商器件封装 PG-TSON-4-2
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V	封装/外壳 4-PowerTDFN