IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 320 A 1050 W 底座安装 模块
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

FF225R12ME4BOSA1

DigiKey 零件编号
FF225R12ME4BOSA1-ND
制造商
制造商产品编号
FF225R12ME4BOSA1
描述
IGBT MOD 1200V 320A 1050W MOD
原厂标准交货期
23 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 320 A 1050 W 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
包装
托盘
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
320 A
功率 - 最大值
1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值)
3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
13 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

现货: 58
检查是否有其他入库库存
所有价格均以 CNY 计算
托盘
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥857.54000¥857.54
10¥709.38000¥7,093.80
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。