Name: BSZ0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSIATMA1TR-ND
Price: 17.78 CNY
Availability: InStock

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BSZ0901NSIATMA1
DigiKey 零件编号	BSZ0901NSIATMA1TR-ND - 卷带（TR） BSZ0901NSIATMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ0901NSIATMA1
描述	MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSZ0901NSIATMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 41 nC @ 10 V
系列 OptiMOS™	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2600 pF @ 15 V
零件状态最后售卖	FET 功能肖特基二极管（体）
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A（Ta），40A（Tc）	供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.1 毫欧 @ 20A，10V	基本产品编号 BSZ0901

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替代品 (4)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
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