Name: BSZ028N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND
Price: 12.32 CNY
Availability: InStock

BSZ028N04LSATMA1
DigiKey 零件编号	448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-BSZ028N04LSATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-BSZ028N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ028N04LSATMA1
描述	MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
原厂标准交货期	52 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 21A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSZ028N04LSATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2300 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），63W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	BSZ028

数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
5,000	¥2.98335	¥14,916.75
10,000	¥2.89948	¥28,994.80

BSZ028N04LSATMA1