Name: BSS126IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS126IXTSA1TR-ND
Price: 3.06 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

BSS126IXTSA1
DigiKey 零件编号	448-BSS126IXTSA1TR-ND - 卷带（TR） 448-BSS126IXTSA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-BSS126IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSS126IXTSA1
描述	MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
原厂标准交货期	25 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 沟道，耗尽型 600 V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3-5
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSS126IXTSA1 型号

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.7V @ 8µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.4 nC @ 5 V
系列 SIPMOS®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 21 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
FET 类型 N 沟道，耗尽型	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 PG-SOT23-3-5
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21mA（Ta）	封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 500 欧姆 @ 16mA，10V	基本产品编号 BSS126