类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 50µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2.67 nC @ 10 V
系列 SIPMOS®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 69 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 360mW（Ta）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 100 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA（Ta）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 PG-SOT23
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6 欧姆 @ 170mA，10V	封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BSS123TA	Diodes Incorporated	11,043	BSS123CT-ND	¥4.30000	直接
BSS123	onsemi	728	BSS123NCT-ND	¥2.89000	类似
BSS123-7-F	Diodes Incorporated	46,449	BSS123-FDICT-ND	¥1.98000	类似
BSS123L	onsemi	1,445	BSS123LCT-ND	¥2.23000	类似
BSS123LT1G	onsemi	394,413	BSS123LT1GOSCT-ND	¥2.48000	类似

BSS123E6327