Name: BSP295H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP295H6327XTSA1TR-ND
Price: 12.07 CNY
Availability: OutOfStock

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BSP295H6327XTSA1
DigiKey 零件编号	BSP295H6327XTSA1TR-ND - 卷带（TR） BSP295H6327XTSA1CT-ND - 剪切带（CT） BSP295H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSP295H6327XTSA1
描述	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
原厂标准交货期	23 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	BSP295H6327XTSA1 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 17 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 SIPMOS®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 368 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
零件状态在售	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型 N 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 60 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A（Ta）	供应商器件封装 PG-SOT223-4
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 1.8A，10V	基本产品编号 BSP295
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 400µA

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替代品 (2)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	36,127	DMN6068SE-13CT-ND	¥6.12000	类似
PJW3N10A_R2_00001	Panjit International Inc.	4,304	3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND	¥4.55000	类似