BSC159N10LSFGATMA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

MFR Recommended


Infineon Technologies
现货: 11,458
单价: ¥8.77000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 2,857
单价: ¥20.01000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: ¥4.36364
规格书

类似


onsemi
现货: 9,547
单价: ¥34.16000
规格书

类似


onsemi
现货: 3,128
单价: ¥35.90000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 8,845
单价: ¥16.54000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 2,196
单价: ¥19.27000
规格书
表面贴装型 N 通道 100 V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8-1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

BSC159N10LSFGATMA1

DigiKey 零件编号
BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
BSC159N10LSFGATMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8-1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSC159N10LSFGATMA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 72µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±20V
包装
卷带(TR)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2500 pF @ 50 V
零件状态
停产
功率耗散(最大值)
114W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
表面贴装型
漏源电压(Vdss)
100 V
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15.9 毫欧 @ 50A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
BSC146N10LS5ATMA1Infineon Technologies11,458448-BSC146N10LS5ATMA1CT-ND¥8.77000MFR Recommended
BSC123N10LSGATMA1Infineon Technologies2,857BSC123N10LSGATMA1CT-ND¥20.01000类似
AON6450LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AON6450L-ND¥4.36364类似
FDMS3662onsemi9,547FDMS3662CT-ND¥34.16000类似
FDMS3672onsemi3,128FDMS3672CT-ND¥35.90000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。