Name: ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 38.29 CNY
Availability: InStock

新产品

表面贴装型 N 通道 80 V 26A（Ta），209A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-TDSON-8-43

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

ISC019N08NM7ATMA1
DigiKey 零件编号	448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISC019N08NM7ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISC019N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies Americas Corp.
制造商产品编号	ISC019N08NM7ATMA1
描述	ISC019N08NM7ATMA1
原厂标准交货期	61 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 26A（Ta），209A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-TDSON-8-43
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.9 毫欧 @ 50A，10V
制造商 Infineon Technologies Americas Corp.	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.2V @ 87µA
系列 OptiMOS™ 7	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 78 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5633 pF @ 40 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3W（Ta），188W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 80 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Ta），209A（Tc）	供应商器件封装 PG-TDSON-8-43
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V	封装/外壳 8-PowerTDFN