Name: IS20M028S1C
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 6500-IS20M028S1CTR-ND
Price: 32.5 CNY
Availability: InStock

DigiKey 新品

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IS20M028S1C
DigiKey 零件编号	6500-IS20M028S1CTR-ND - 卷带（TR） 6500-IS20M028S1CCT-ND - 剪切带（CT） 6500-IS20M028S1CDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	iDEAL Semiconductor
制造商产品编号	IS20M028S1C
描述	MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 200 V 45A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 11.6A，10V
制造商 iDEAL Semiconductor	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.1V @ 70µA
系列 SuperQ™	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 36 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2451 pF @ 100 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 125W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 175°C
漏源电压（Vdss） 200 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 45A（Tc）	供应商器件封装 8-PDFN（5x6）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 8-PowerTDFN