Name: GC20N65F
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65F-ND
Price: 39.37 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 190 毫欧 @ 10A，10V
制造商 Goford Semiconductor	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
系列 SuperJunction	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±30V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1603 pF @ 100 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 40W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Tc）	供应商器件封装 TO-220F
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3 整包

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

现货: 29

检查是否有其他入库库存

数量

所有价格均以 CNY 计算

管件