Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 7.77 CNY
Availability: OutOfStock

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G2K2P10D3E
DigiKey 零件编号	3141-G2K2P10D3ETR-ND - 卷带（TR） 3141-G2K2P10D3ECT-ND - 剪切带（CT） 3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Goford Semiconductor
制造商产品编号	G2K2P10D3E
描述	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 100 V 10A（Tc） 31W（Tc） 8-DFN（3.15x3.05）
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 210 毫欧 @ -6A，-10V
制造商 Goford Semiconductor	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
系列 TrenchFET®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1668 pF @ 50 V
FET 类型 P 通道	功率耗散（最大值） 31W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Tc）	供应商器件封装 8-DFN（3.15x3.05）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN

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