IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 330 W 通孔 TO-247
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IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 330 W 通孔 TO-247
Diotec's IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistors

DIW040M120

DigiKey 零件编号
4878-DIW040M120-ND
制造商
制造商产品编号
DIW040M120
描述
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
原厂标准交货期
8 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 330 W 通孔 TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DIW040M120 型号
产品属性
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类别
开关能量
3.2mJ(导通),2.3mJ(关断)
制造商
Diotec Semiconductor
输入类型
标准
包装
管件
25°C 时 Td(开/关)值
37ns/290ns
零件状态
在售
测试条件
600V,40A,4.7 欧姆,15V
IGBT 类型
沟槽型场截止
反向恢复时间 (trr)
85 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
安装类型
通孔
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
封装/外壳
TO-247-3
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V,40A
供应商器件封装
TO-247
功率 - 最大值
330 W
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 439
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥63.76000¥63.76
30¥36.90067¥1,107.02
120¥33.25300¥3,990.36
制造商标准包装
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