IGBT 沟槽型场截止 1350 V 80 A 510 W 通孔 TO-247
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IGBT 沟槽型场截止 1350 V 80 A 510 W 通孔 TO-247
Diotec's IGBTs - Insulated Gate Bipolar Transistors

DIW040F135

DigiKey 零件编号
4878-DIW040F135-ND
制造商
制造商产品编号
DIW040F135
描述
IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO-247
原厂标准交货期
10 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 1350 V 80 A 510 W 通孔 TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
DIW040F135 型号
产品属性
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类别
功率 - 最大值
510 W
制造商
Diotec Semiconductor
开关能量
3mJ(导通),1.5mJ(关断)
包装
管件
输入类型
标准
零件状态
在售
25°C 时 Td(开/关)值
21ns/95ns
IGBT 类型
沟槽型场截止
测试条件
600V,30A,4.7 欧姆,15V
电压 - 集射极击穿(最大值)
1350 V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
安装类型
通孔
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
封装/外壳
TO-247-3
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,40A
供应商器件封装
TO-247
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 301
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所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥73.11000¥73.11
30¥42.79167¥1,283.75
120¥39.84550¥4,781.46
制造商标准包装
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