Name: DMTH8008LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND
Price: 17.04 CNY
Availability: InStock

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DMTH8008LFGQ-7
DigiKey 零件编号	31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND - 卷带（TR） 31-DMTH8008LFGQ-7CT-ND - 剪切带（CT） 31-DMTH8008LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMTH8008LFGQ-7
描述	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
原厂标准交货期	40 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 17A（Ta），70A（Tc） 1.2W（Ta），50W（Tc） POWERDI3333-8
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 37.7 nC @ 10 V
制造商 Diodes Incorporated	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2254 pF @ 40 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 1.2W（Ta），50W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 80 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Ta），70A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 POWERDI3333-8
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.9 毫欧 @ 20A，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA