Name: DMT8012LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-13-ND
Price: 3.52655 CNY
Availability: OutOfStock

DMT8012LFG-13 可以购买了，但通常没有现货。

可用替代品:

参数等效

Diodes Incorporated

现货: 4,687

单价: ¥13.07000

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

DMT8012LFG-13
DigiKey 零件编号	DMT8012LFG-13-ND - 卷带（TR）
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMT8012LFG-13
描述	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
原厂标准交货期	40 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 9.5A（Ta），35A（Tc） 2.2W（Ta），30W（Tc） POWERDI3333-8
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 Diodes Incorporated	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 34 nC @ 10 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1949 pF @ 40 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），30W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 80 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.5A（Ta），35A（Tc）	供应商器件封装 POWERDI3333-8
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 16 毫欧 @ 12A，10V	基本产品编号 DMT8012