Name: DMT10H015LCG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LCG-7TR-ND
Price: 15.13 CNY
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT10H015LCG-7
DigiKey 零件编号	31-DMT10H015LCG-7TR-ND - 卷带（TR） 31-DMT10H015LCG-7CT-ND - 剪切带（CT） 31-DMT10H015LCG-7DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMT10H015LCG-7
描述	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	DMT10H015LCG-7 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 250µA
制造商 Diodes Incorporated	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 33.3 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1871 pF @ 50 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 1W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 100 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.4A（Ta），34A（Tc）	供应商器件封装 V-DFN3333-8
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 20A，10V	基本产品编号 DMT10

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DMT10H015LCG-13	Diodes Incorporated	0	DMT10H015LCG-13-ND	¥4.30597	参数等效

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