Name: DMN6013LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFG-13-ND
Price: 2.56753 CNY
Availability: OutOfStock

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DMN6013LFG-13
DigiKey 零件编号	DMN6013LFG-13-ND - 卷带（TR）
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMN6013LFG-13
描述	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
原厂标准交货期	40 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） POWERDI3333-8
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 Diodes Incorporated	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 55.4 nC @ 10 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2577 pF @ 30 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 1W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 60 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10.3A（Ta），45A（Tc）	供应商器件封装 POWERDI3333-8
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V	基本产品编号 DMN6013

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替代品 (4)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	2,000	DMN6013LFG-7DICT-ND	¥10.17000	参数等效
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DMN6013LFGQ-7	Diodes Incorporated	433	DMN6013LFGQ-7DICT-ND	¥12.57000	参数等效
TPH7R006PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	29,223	TPH7R006PLL1QCT-ND	¥10.83000	类似