Name: DMN3009LFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3009LFV-13-ND
Price: 1.45425 CNY
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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 Diodes Incorporated	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 42 nC @ 10 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2000 pF @ 15 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2W（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 30 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A（Tc）	供应商器件封装 PowerDI3333-8
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 8-PowerVDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.5 毫欧 @ 30A，10V	基本产品编号 DMN3009

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	1,926	31-DMN3009LFV-7CT-ND	¥6.78000	参数等效
AON7380	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AON7380-ND	¥1.42641	类似
IRFH8330TRPBF	Infineon Technologies	0	IRFH8330TRPBFTR-ND	¥0.00000	类似

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