2DA1213O-13 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Diodes Incorporated
现货: 352
单价: ¥5.46000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 323
单价: ¥7.77000
规格书

类似


onsemi
现货: 863
单价: ¥6.29000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,525
单价: ¥7.19000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,096
单价: ¥7.03000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 708
单价: ¥6.53000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 27
单价: ¥4.13000
规格书
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 2 A 160MHz 1 W 表面贴装型 SOT-89-3
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

2DA1213O-13

DigiKey 零件编号
2DA1213ODITR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
2DA1213O-13
描述
TRANS PNP 50V 2A SOT-89-3
客户内部零件编号
详细描述
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 2 A 160MHz 1 W 表面贴装型 SOT-89-3
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
70 @ 500mA,2V
制造商
功率 - 最大值
1 W
包装
卷带(TR)
频率 - 跃迁
160MHz
零件状态
停产
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管类型
安装类型
表面贴装型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
2 A
封装/外壳
TO-243AA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
供应商器件封装
SOT-89-3
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
500mV @ 50mA,1A
基本产品编号
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (7)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
2DA1213Y-13Diodes Incorporated3522DA1213YDICT-ND¥5.46000直接
2SA2060(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and Storage323264-2SA2060(TE12L,F)CT-ND¥7.77000类似
2SA2153-TD-Eonsemi8632SA2153-TD-EOSCT-ND¥6.29000类似
2SB1123S-TD-Eonsemi1,5252SB1123S-TD-EOSCT-ND¥7.19000类似
2SB1123T-TD-Eonsemi1,096488-2SB1123T-TD-ECT-ND¥7.03000类似
过期
此产品已停产。 查看 替代品。