CDM22010-650 SL Central Semiconductor Corp | 单 FET，MOSFET

CDM22010-650 SL 已经过时且不再制造。

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Central Semiconductor Corp	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） 30V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1168 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 2W（Ta），156W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta）	供应商器件封装 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1 欧姆 @ 5A，10V	基本产品编号 CDM22010

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRFBC40APBF	Vishay Siliconix	896	IRFBC40APBF-ND	¥28.37000	类似
IRFBC40PBF	Vishay Siliconix	453	IRFBC40PBF-ND	¥28.37000	类似
STP7LN80K5	STMicroelectronics	445	497-16497-5-ND	¥25.47000	类似

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CDM22010-650 SL