AOTF11S60L 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 37
单价: ¥3,394.00000
规格书

直接


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: ¥8,041.00000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,030
单价: ¥7,751.00000
规格书

类似


onsemi
现货: 703
单价: ¥6,711.00000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥5,840.00000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 343
单价: ¥6,589.00000
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 0
单价: ¥5,565.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,672
单价: ¥4,158.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 603
单价: ¥7,889.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,517
单价: ¥4,311.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 969
单价: ¥4,281.00000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 112
单价: ¥6,161.00000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: ¥3,012.96000
规格书
通孔 N 通道 600 V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

AOTF11S60L

DigiKey 零件编号
AOTF11S60L-ND
制造商
制造商产品编号
AOTF11S60L
描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
规格书
 规格书
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.1V @ 250µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V
系列
Vgs(最大值)
±30V
包装
管件
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
545 pF @ 100 V
零件状态
不适用于新设计
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
技术
安装类型
通孔
漏源电压(Vdss)
600 V
供应商器件封装
TO-220F
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
封装/外壳
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
399 毫欧 @ 3.8A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (13)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
TK11A65W,S5XToshiba Semiconductor and Storage37TK11A65WS5X-ND¥3,394.00000直接
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and Storage0264-TK12A60W,S4VX-ND¥8,041.00000直接
FCPF400N80Zonsemi1,030FCPF400N80Z-ND¥7,751.00000类似
FDPF17N60NTonsemi703FDPF17N60NTFS-ND¥6,711.00000类似
IPAN80R360P7XKSA1Infineon Technologies0IPAN80R360P7XKSA1-ND¥5,840.00000类似
按订单供货
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1,000¥10.17797¥10,177.97
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。