Wise-Integration

WiseGan™ WI62195

Wise-Integration 650 V 增强模式 (E-mode) 半桥功率 GaN IC 在 DFN 6 mm x 8 mm 封装中提供 195 mΩ 电阻

Wise-Integration WiseGan WI62195 的图片Wise-Integration WI62195 是 WiseGan 功率集成电路的增强型硅基氮化镓半桥功率电路。氮化镓 (GaN) 的特性使大电流、高电压击穿和高开关频率成为可能。

特性
  • 650 V 增强模式半桥
  • 底部冷却配置
  • RDS(ON)：每个开关 195 mΩ
  • IDS(max)：9 A
  • 低电感 PDFN 封装
 
  • 简单的栅极驱动要求：0 V 至 6 V
  • 瞬态耐受栅极驱动高达 7 V
  • 高开关频率 >1 MHz
  • 零反向恢复损耗
  • 小型 6 mm x 8 mm PCB 封装
应用
  • 高效电源转换
  • 高密度功率转换
  • AC/DC、DC/DC 和 DC/AC
  • 无桥推拉输出电路 PFC
  • ACF（有源箝位反激式）
  • QRF（准谐振反激式）
 
  • LLC 谐振变换器
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压
  • 小/中型 UPS
  • 快速电池充电

WiseGan™ WI62195

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MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFNWI62195MOSFET 2N-CH 750V 9A 14PQFNGaNFET（氮化镓）2 个 N 通道（半桥）1457 - 立即发货
1 : ¥59.79
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发布日期： 2025-02-14